快科技7月7日讯 —— 面对台积电与三星在1.4纳米制程领域的双面强势逼近，英特尔正式宣布将在标准14A工艺基础上，供电工艺推出代号为14A2（14A Gen2）的英特硬刚改良版制程技术，旨在通过架构创新巩固其半导体制造优势。魔改

创新双面供电方案，台积突破互连瓶颈

针对14A2工艺，双面英特尔提出了一项突破性设计：在原有背部供电（Backside Power Delivery）的供电工艺基础上，保留部分前部供电线路，英特硬刚构建“前后双侧供电”混合架构。魔改这一举措旨在解决先进制程下互连尺寸急剧缩小所引发的台积信号完整性与供电效率挑战。

在标准的双面14A工艺中，英特尔已引入名为PowerDirect的供电工艺背部供电技术，将供电网络从晶圆正面转移至背面，英特硬刚从而释放正面空间用于逻辑互连。魔改而在14A2这一半节点升级版本中，台积英特尔计划进一步压缩物理尺寸，将最低金属互连层（M0）的间距从14A工艺的约28纳米进一步缩小至约21纳米。这一改进不仅显著提升了晶体管密度，还优化了High-NA EUV光刻设备的利用率，从而提升整体制造经济性。

量产时间表：2029年正式落地

根据英特尔公布的最新路线图，14A2工艺的发展节点如下：

• 2026年10月：向外部客户交付14A工艺0.9版本的工艺设计套件（PDK）。
• 2028年：启动风险试产（Ramp-up），并争取在18个月内获得大型无晶圆厂（Fabless）芯片设计企业的订单。
• 2029年：实现大规模量产。

三巨头1.4nm巅峰对决

随着14A2工艺的推进，全球半导体代工市场的竞争格局愈发清晰。主要竞争对手的进度如下：

• 台积电：其A14（1.4nm级）晶圆厂预计于2027年底启动试产，2028年下半年实现量产。
• 三星：计划于2029年正式量产1.4纳米工艺。

由此可见，英特尔、台积电与三星将在1.4纳米这一关键节点展开正面交锋，技术路线的差异化与量产时间的争夺将成为决定未来市场格局的关键因素。