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随着Rubin系列进入量产周期，英伟英伟达的达或研发重心已逐步向下一代旗舰产品Rubin Ultra倾斜。原计划中，改变Rubin Ultra旨在通过4-Die（四芯片）架构实现性能飞跃，计划计并在单个封装内集成16个HBM模块，芯片以超越Rubin采用的难产2-Die架构。
然而，双芯据TomsHardware最新报道，片设英伟达已决定取消Rubin Ultra的英伟4-Die架构，转而采用制造效率更高、达或量产可行性更强的改变2-Die架构。这一重大调整意味着Rubin Ultra的计划计理论性能可能面临大幅缩水，预计原始性能将减半。芯片为弥补这一差距，难产英伟达需在后续开发中通过极致优化来榨取更多性能潜力。双芯 在存储配置上，Rubin Ultra将搭载新一代HBM4E内存，其性能优于Rubin所采用的HBM4。但由于架构变更，单个封装内的HBM模块数量将从原定的16个缩减至8个。 技术瓶颈与替代方案困境此前，为满足Rubin Ultra的高规格需求，英伟达与台积电计划采用CoWoS-L封装技术。但在实际推进中，该技术遭遇了严重的物理稳定性问题：基板易发生多方向弯曲变形，导致计算模块无法与底层基板实现完美接触。这种不稳定性不仅严重影响了良品率，更大幅推高了制造成本，迫使双方寻找替代方案。 业界曾提出CoPoS封装作为潜在替代方案，但台积电的量产时间表最快也要等到2028年末。这一时间点显然无法赶上Rubin Ultra原定的2027年发布计划，除非项目进度大幅提前。 成本与市场影响分析转向2-Die架构并非全无益处，最显著的优势在于AI加速器制造成本的降低。然而，英伟达当前的商业策略主要聚焦于机架级解决方案的销售，而非单独出售AI加速器芯片。因此，架构变更对最终产品定价及整体性能的影响仍需进一步观察。 近年来，英伟达机架产品的价格持续攀升，特别是在存储成本剧烈波动的背景下，这一架构调整能否有效遏制成本上涨趋势，将成为市场关注的焦点。 |
